參數(shù)資料
型號： IRLS530
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 先進的功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 259K
代理商： IRLS530
IRLS530A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.12
I
D
= 10.7 A
100
10.7
7.5
49
±
20
228
10.7
3.6
6.5
36
0.24
- 55 to +175
300
n
Avalanche Rugged Technology
n
Rugged Gate Oxide Technology
n
Lower Input Capacitance
n
Improved Gate Charge
n
Extended Safe Operating Area
n
Lower Leakage Current : 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 100V
n
Lower R
DS(ON)
: 0.101
(Typ.)
Advanced Power MOSFET
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
℃
)
Continuous Drain Current (T
C
=100
℃
)
Drain Current-Pulsed
①
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
②
Avalanche Current
①
Repetitive Avalanche Energy
①
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
℃
)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
③
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
℃
A
℃
TO-220F
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
4.2
62.5
--
--
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
JA
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
o
C/W
Rev. A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRLS630A 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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