參數(shù)資料
型號(hào)： IRFY9140
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： JFETs
英文描述： P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
中文描述： 13 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 14K
代理商： IRFY9140
IRFY9140
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
1
1
1
1
1
1
1
1
2.54
BSC
10.41
10.67
3.56
0.70
0.90
2.65
2.75
0.89
1.14
4.70
5.00
1 2 3
TO–220M – Metal Package
P–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
FEATURES
HERMETICALLY SEALED TO–220 METAL
PACKAGE
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
SCREENING OPTIONS AVAILABLE
ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain
Pad 3 – Source
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
-100V
-13A
0.21
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25°C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100°C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
T
J
, T
stg
R
θ
JC
R
θ
JA
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient
±20V
-13A
-8.2A
-52A
60W
0.48W/°C
–55 to 150°C
2.1°C/W max.
80°C/W max.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFY9140CM POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A)
IRFZ24A 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL610A 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL610 SWITCH,THM,STR,SPST,NO,12MM SQ
IRL630A 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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