參數(shù)資料
型號： IRFU9024N
廠商： International Rectifier
英文描述： CAP 0.22UF 50V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 55V的，的Rds（on）\u003d 0.175ohm，身份證\u003d- 11A條）
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IRFU9024N
IRFR/U9024N
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.6
0.9
1.3
1.6
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
10us
100us
1ms
10ms
0
100
200
300
400
500
600
700
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
G
A
-
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -7.2A
V = -44V
V = -28V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9024N P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
IRFRU9214 HA1L-M1C53-G L6 Ovrsz ILL PB Rnd Flsh Mom SPDT 12V LED Sldr
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IRFR9214 P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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