參數(shù)資料
型號： IRFIB6N60A
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）最大值\u003d 0.75ohm，身份證\u003d 5.5A）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： IRFIB6N60A
IRFIB6N60A
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
8.0V
5.5V
4.7V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.7V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
7.0V
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.7V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
9.2A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFIB7N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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