參數(shù)資料
型號： IPF04N03LBG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 427K
代理商： IPF04N03LBG
IPD04N03LB G IPS04N03LB G
IPU04N03LB G IPF04N03LB G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
3900
5200
pF
Output capacitance
C
oss
-
1400
1900
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
180
270
Turn-on delay time
t
d(on)
-
14
21
ns
Rise time
t
r
-
10
14
Turn-off delay time
t
d(off)
-
43
65
Fall time
t
f
-
6.0
9
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q
gs
-
11
15
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
6.3
8.3
Gate to drain charge
Q
gd
-
7.7
11
Switching charge
Q
sw
-
13
18
Gate charge total
Q
g
-
30
40
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.1
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
V
DS
=0.1 V,
V
GS
=0 to 5 V
-
27
35
nC
Output charge
Q
oss
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
-
31
42
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
50
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
350
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
-
0.89
1.2
V
Reverse recovery charge
Q
rr
V
R
=15 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 A/μs
-
-
10
nC
6)
See figure 16 for gate charge parameter definition
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
=1 MHz
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=2.7
V
DD
=15 V,
I
D
=25 A,
V
GS
=0 to 5 V
Rev. 1.5
page 3
2006-05-11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD06N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPF050N03LG 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPF05N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPF05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPF05N03LAG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000017606_Power MOSFET
IPF060N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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