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參數(shù)資料
| 型號： | IPDH4N03LAG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR |
| 中文描述： | 掩埋2電源-晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | IPDH4N03LAG |
Rev. 0.92 - target data sheet
page 4
2004-10-27
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPDH4N03LA-G | OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR |
| IPM6210A | Micropower 5V, 100mA Low Dropout Linear Regulator |
| IPM6210ACA | Micropower 5V, 100mA Low Dropout Linear Regulator |
| IPM6210ACA-T | Micropower 5V, 100mA Low Dropout Linear Regulator |
| IPM6220A | Advanced Triple PWM and Dual Linear Power Controller for Portable Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPDH4N03LA-G | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR |
| IPDH4N03LAGBUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11 |
| IPDH4N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPDH5N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPDH5N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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