參數(shù)資料
型號(hào)： IMT17L-AG6-R
廠商： 友順科技股份有限公司
英文描述： GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR
中文描述： 一般用途的雙晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： IMT17L-AG6-R
IMT17
DUAL TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R215-006,A
3
■
T Y PICAL CHARACT ERICS
-500
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.10 -0.2-0.4-0.6-0.8-1.0-1.2-1.4-1.6-1.8-2.0-2.2
C
C
(
BASE TO EMITTER VOLTAGE , V
BE
(V)
Grounded Emitter Propagaton Characteristics
Ta = 100
℃
Ta = 25
℃
Ta = -40
℃
V
CE
= -3V
-100
-80
-60
-40
-20
00
-1
-2
-3
I
B
= 0A
-4
-5
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE, V
CE
(V)
Grounded Emitter Output Characteristics (I)
-1mA
Ta = 25
℃
-0.1mA
-0.2mA
-0.3mA
-0.4mA
-0.5mA
-0.6mA
-0.7mA
-0.8mA
-0.9mA
-500
00
-5
I
B
= 0A
-10
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE, V
CE
(V)
Grounded Emitter Output Characteristics (II)
-1.0mA
-1.5mA
-0.5mA
-5.0mA
-4.5mA
Ta = 25
℃
-2.0mA
-2.5mA
-3.0mA
-3.5mA
-4.0mA
-400
-300
-200
-100
1000
500
200
100
50
1
2
5
10
0.5
20
50
T
T
EMITTER CURRENT, I
E
(mA)
Gain Bandwidth Product vs. Emitter Current
Ta = 25
℃
V
CE
= -5V
1000
500
200
100
50
20
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100-200-500-1000
D
F
COLLECTOR CURRENT, I
C
(mA)
DC Current Gain vs. Collector Current (I)
Ta = 25
℃
V
CE
= -3V
V
CE
= -5V
V
CE
= -1V
1000
500
200
100
50
20
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100-200-500-1000
D
F
COLLECTOR CURRENT, I
C
(mA)
Ta = 100
℃
V
CE
= -3V
Ta = 25
℃
Ta = -40
℃
DC Current Gain vs. Collector Current (II)
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PDF描述
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IMX17 General purpose transistor (dual transistors)
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參數(shù)描述
IMT17T110 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL PNP 50V 500MA SOT-457 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
IMT17T208 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 0.5A 6-PIN SMT T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN DL 50V 500MA SMT6 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 0.5A 6PIN
IMT18 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistors(dual transistors)
IMT18T110 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
IMT1A 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors)
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