參數(shù)資料
型號： IMT17L-AG6-R
廠商： 友順科技股份有限公司
英文描述： GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR
中文描述： 一般用途的雙晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： IMT17L-AG6-R
IMT17
DUAL TRANSISTOR
The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2.
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R215-006,A
2
ABS OLUAT E MAX IUM RAT INGS *
(Ta = 25
℃
)
PARAMETER
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
P
D
T
J
T
STG
RATINGS
-60
-50
-5
500
300
+150
-40 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mW*
°
C
°
C
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
*200mW per element must not be exceeded.
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta= 25
℃
, unless otherwise specified.)
PARAMETER
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
V
CE(sat)
I
CBO
I
EBO
Cob
h
FE
f
T
TEST CONDITIONS
Ic = -100
μ
A
Ic = -1mA
I
E
= -100
μ
A
Ic = -500mA, I
B
= - 50mA
V
CB
= -30V
V
EB
= -4V
V
CE
= -10V, I
E
=0A, f =1MHz
V
CE
= - 3V, Ic = -100mA
V
CE
= -10V, I
E
=20mA, f =100MHz
MIN
-60
-50
-5
120
TYP MAX UNIT
-0.6
-0.1
-0.1
7
390
200
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Output Capacitance
DC Current Transfer Ratio
Transition Frequency
*Measured using pulse current.
V
V
V
V
μ
A
μ
A
pF
MHz
相關PDF資料
PDF描述
IMT1A General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors)
IMX17 General purpose transistor (dual transistors)
IMX1 General purpose transistors (dual transistors)
IMX2 General purpose (dual transistors)
IMX3 General purpose (dual transistors)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IMT17T110 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL PNP 50V 500MA SOT-457 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
IMT17T208 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 0.5A 6-PIN SMT T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN DL 50V 500MA SMT6 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 0.5A 6PIN
IMT18 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistors(dual transistors)
IMT18T110 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
IMT1A 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors)
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