參數(shù)資料
型號： IMH20T1GT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Dual Bias Resistor Transistor
中文描述： 雙偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 23K
代理商： IMH20T1GT1
IMH20T1G
http://onsemi.com
2
Q1 + Q2: NPN
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
15
-
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 50 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
30
-
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage (I
E
= 50 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
-
Vdc
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
-
0.5
Adc
Emitter-Base Cutoff Current (V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0)
I
EBO
-
0.5
Adc
DC Current Gain (Note 1) (V
CE
= 5.0 Vdc, I
C
= 50 mAdc)
h
FE
100
600
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
C
= 50 mAdc, I
B
= 2.5 mAdc)
V
CE(sat)
-
80
mV
Input Resistance
R
1
1.54
2.86
k
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, D.C.
≤
2%.
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PDF描述
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IMH21 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Dual digital transistors
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