參數(shù)資料
型號(hào)： IGW15T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology
中文描述： 在海溝和低場終止IGBT的技術(shù)損失
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 408K
代理商： IGW15T120
IGW15T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
9
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
V
C
,
C
-
E
0V
200V
400V
600V
0A
10A
20A
30A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
I
C
,
C
0V
200V
400V
600V
0A
10A
20A
30A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
t
,
TIME
t
,
TIME
Figure 21. Typical turn on behavior
(V
GE
=0/15V,
R
G
=56
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 22. Typical turn off behavior
(V
GE
=15/0V,
R
G
=56
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 23. IGBT transient thermal resistance
(
D = t
p
/
T
)
R
,(K/W )
0.121
0.372
0.381
0.226
R
1
τ
,
(s)
=
1.73*10
-1
2.75*10
-2
2.57*10
-3
2.71*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGW25T120 Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
IH401A QUAD Varafet Analog Switch
IH4815 DC/DC Converters
IH2403 DC/DC Converters
IH2405 DC/DC Converters
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參數(shù)描述
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IGW25N120H3 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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