參數(shù)資料
型號： IGB15N60T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
中文描述： 在戴低損失和場終止IGBT技術
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 364K
代理商： IGB15N60T
TrenchStop Series
IGB15N60T
q
Power Semiconductors
4
Rev. 2.1 Dec-04
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
30A
40A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
10μs
50μs
1ms
DC
t
p
=2μs
10ms
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
175
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 15
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
175
°
C;
V
GE
=15V)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C 125°C 150°C
0W
20W
40W
60W
80W
100W
120W
I
C
,
C
25°C
75°C
125°C
0A
10A
20A
30A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function of
case temperature
(
T
j
≤
175
°
C)
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≥
15V,
T
j
≤
175
°
C)
I
c
I
c
相關PDF資料
PDF描述
IGB50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGP50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGW50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGW15T120 Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology
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參數(shù)描述
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