參數(shù)資料
型號： IGB01N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 390K
代理商： IGB01N120H2
IGP01N120H2,
IGD01N120H2
IGB01N120H2
Power Semiconductors
11
Rev. 2, Mar-04
dimensions
symbol
[mm]
symbol
min
min
A
6.40
A
6.40
A
B
5.25
B
5.25
B
C
(0.65)
C
(0.65)
C
D
0.63
D
0.63
D
E
2.28
E
F
2.19
F
2.19
F
G
0.76
G
0.76
G
H
0.90
H
0.90
H
K
5.97
K
5.97
K
L
9.40
L
9.40
L
M
0.46
M
0.46
M
N
0.87
N
0.87
N
P
0.51
P
0.51
P
R
5.00
R
5.00
R
S
4.17
S
4.17
S
T
0.26
T
0.26
T
U
-
U
-
U
TO-252AA (DPak)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGD01N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGP01N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGB15N60T Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGB50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGP50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IGB01N120H2_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HighSpeed 2-Technology
IGB01N120H2ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2
IGB03F120 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IGB03N120H2 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IGB03N120H2ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*