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STGD6NC60H

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  • STGD6NC60HDT4
    STGD6NC60HDT4

    STGD6NC60HDT4

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • ST

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

STGD6NC60H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
STGD6NC60H 技術(shù)參數(shù)
  • STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:36μJ（開），200μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:21.2nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:15ns/90ns 測試條件:400V，6A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD5NB120SZT4 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):10A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，5A 功率 - 最大值:75W 開關(guān)能量:2.59mJ（開），9mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:690ns/12.1μs 測試條件:960V，5A，1 千歐，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD5NB120SZ-1 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):10A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，5A 功率 - 最大值:75W 開關(guān)能量:2.59mJ（開），9mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:690ns/12.1μs 測試條件:960V，5A，1 千歐，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STGD5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開關(guān)能量:56μJ（開），78.5μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:40μJ（開），136μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD8NC60KT4 STGDL6NC60DIT4 STGDL6NC60DT4 STGE200N60K STGE200NB60S STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF
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