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STD7NK40

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  • 封裝
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  • STD7NK40ZT4
    STD7NK40ZT4

    STD7NK40ZT4

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 2500

  • STM

  • TO-252-3 (DPAK)

  • 20+

  • -

  • 只做原裝，型號齊全，價格優(yōu)惠。

  • STD7NK40ZT4
    STD7NK40ZT4

    STD7NK40ZT4

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 2500

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 0.30326 USD,szpoweri...

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STD7NK40 技術(shù)參數(shù)
  • STD7N90K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 STD7N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:360pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD7N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:271pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD7N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 6.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:980 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:737pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD80N4F6 STD80N6F6 STD815CP40 STD826T4 STD830CP40 STD840DN40 STD845DN40 STD85N10F7AG STD85N3LH5 STD86N3LH5 STD878T4 STD888T4 STD8N60DM2 STD8N65M5 STD8N80K5 STD8NF25 STD8NM50N STD8NM60N
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