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STD29NF03L

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 29A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD29NF03L 技術(shù)參數(shù)
  • STD28P3LLH6AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,STripFET? H6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1480pF @ 25V 功率 - 最大值:33W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2805T4 功能描述:TRANS PNP 60V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD27N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 13.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):475pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD26P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1450pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD26NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2NK60Z-1 STD2NK70Z-1 STD2NK70ZT4 STD2NK90Z-1 STD2NK90ZT4 STD2NM60T4 STD30N10F7 STD30N6LF6AG STD30NE06L STD30NE06LT4 STD30NF03LT4 STD30NF04LT STD30NF06 STD30NF06LT4 STD30NF06T4 STD30PF03L-1 STD30PF03LT4 STD3155L104T4G
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