SI1563DH-T1-GE3

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功能描述
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列
TrenchFET®
產(chǎn)品目錄繪圖
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝
1
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 4.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
SI7948DP-T1-GE3DKR

SI1563DH-T1-GE3 技術參數(shù)

SI1153-AA9X-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-LLGA 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:環(huán)境，手勢波長:525nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.62 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-LLGA 供應商器件封裝:10-LGA（4.90x2.85）標準包裝:1 SI1153-AA09-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:環(huán)境，手勢波長:525nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.62 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-WFQFN 供應商器件封裝:10-DFN（2x2）標準包裝:1 SI1153-AA00-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:環(huán)境，手勢波長:525nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.62 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-WFQFN 供應商器件封裝:10-DFN（2x2）標準包裝:1 SI1147-M01-GMR 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:IR 波長:850nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.71 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-SMD 模塊（無引線）供應商器件封裝:10-QFN（4.9x2.9）標準包裝:1 SI1147-M01-EVB 功能描述:Si1145-M01, Si1146-M01, Si1147-M01 - Light and Proximity Sensor Evaluation Board 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態(tài):有效傳感器類型:光線和近程感應范圍:- 接口:I2C 靈敏度:- 電壓 - 電源:1.71 V ~ 3.6 V 嵌入式:- 所含物品:2 板，線纜使用的 IC/零件:Si1145-M01，Si1146-M01，Si1147-M01 標準包裝:1 SI1867DL-T1-GE3 SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-GE3 SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-GE3 SI1903DL-T1-E3 SI1903DL-T1-GE3 SI1905BDH-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 SI1912EDH-T1-E3 SI1913DH-T1-E3 SI1913EDH-T1-E3 SI1917EDH-T1-E3 SI1922EDH-T1-GE3 SI1926DL-T1-E3