<span id="cfioe"></span>

<menu id="cfioe"></menu>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > N字母型號搜索 >

NLV32T-220J

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

3/3頁 40條/頁共89條
上一頁 1 2 3

您是不是要找： NLV32T-220J-EF NLV32T-220J-EFD NLV32T-220J-PF NLV32T-220J-PFD NLV32T-221J-EF NLV32T-221J-EFD NLV32T-221J-PF NLV32T-221J-PFD NLV32T-270J-EF

NLV32T-220J PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

NLV32T-220J 技術參數

NLV32T-1R8J-PF 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:900 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-1R8J-EFD 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:900 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-1R8J-EF 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:900 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-1R5J-PF 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±5% 額定電流:370mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:85MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-1R5J-EFD 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±5% 額定電流:370mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:85MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:1 NLV32T-270J-EFD NLV32T-270J-PF NLV32T-270J-PFD NLV32T-271J-EF NLV32T-271J-EFD NLV32T-271J-PF NLV32T-271J-PFD NLV32T-2R2J-EF NLV32T-2R2J-EFD NLV32T-2R2J-PF NLV32T-2R2J-PFD NLV32T-2R7J-EF NLV32T-2R7J-EFD NLV32T-2R7J-PF NLV32T-2R7J-PFD NLV32T-330J-EF NLV32T-330J-EFD NLV32T-330J-PF