BFU630F

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
NPN wideband silicon RF transistor

BFU630F 技術參數

BFU610F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13.5dB ~ 23.5dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 1mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:4-DFP 標準包裝:1 BFU590QX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:6.5dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFU590GX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BFU580QX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 60MA SOT89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB @ 1.8GHz 增益:8.5dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFU580GX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 60MA SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1.8GHz 增益:10.5dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 BFU760F,115 BFU768F,115 BFU790F,115 BFU910FX BFV10-10L BFV10-10Q BFV10-6L BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L