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APT1211

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
APT1211 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 三極與 SCR 輸出光電耦合器 AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 輸出設(shè)備
  • PhotoTriac
  • 每芯片的通道數(shù)量
  • 絕緣電壓
  • 3750 Vrms
  • 正向電流
  • 10 mA
  • 正向電壓
  • 1.2 V
  • 最大觸發(fā)電流
  • 10 mA
  • 關(guān)斷狀態(tài)下輸出電壓-VDRM
  • 600 V
  • 最大連續(xù)輸出電流
  • 零交叉電路
  • 封裝
  • Reel
APT1211 技術(shù)參數(shù)
  • APT12067JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):290nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):570 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT12067JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):670 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4420pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT12067B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4420pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):565W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):670 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 封裝/外殼:TO-247-3 變式 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT12067B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):670 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4420pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT12057LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):570 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):185nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W APT1212WA APT1212WAW APT1212WAY APT1221 APT1221A APT1221AX APT1221AZ APT1221S APT1221SX APT1221SZ APT1221W APT1221WA
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