2N6667

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型號(hào)
供應(yīng)商
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封裝
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說明
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功能描述
兩極晶體管 - BJT PNP Med Power
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N6667 技術(shù)參數(shù)

2N6661JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661JTXP02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661JTX02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661JTVP02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758 2N6760 2N6762 2N6764 2N6764T1 2N6766 2N6766T1