2N350

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
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說明
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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3

2N350 技術(shù)參數(shù)

2N3499L 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO5 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AA，TO-5-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3499 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39（TO-205AD）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3498L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3498 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39（TO-205AD）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3486A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO-46 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-46-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3507AL 2N3507AU4 2N3507L 2N3507U4 2N3583 2N3584 2N3585 2N3634 2N3634L 2N3634UB 2N3635 2N3635L 2N3635UB 2N3636 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L