STV19WS02-V2

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STV19WS02-V2 技術(shù)參數(shù)

STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 專用 IC 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:調(diào)幀器應(yīng)用:數(shù)據(jù)傳輸安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:400-BBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:400-PBGA（27x27）包裝:散裝 STV0974E/TR 功能描述:音頻 DSP Imaging Coprocessor RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作電源電壓: 電源電流: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Tube STV08 功能描述:Dip Switch SPST 8 Position Through Hole Slide (Standard) Actuator 10mA 5VDC 制造商:te connectivity alcoswitch switches 系列:STV 包裝:管件零件狀態(tài):有效電路:SPST 針腳數(shù):8 額定電流:10mA 額定電壓:5VDC 致動器類型:滑動式（標(biāo)準(zhǔn)）致動器水平:凹槽式，隱藏式觸頭材料:銅合金觸頭鍍層:金板上高度:0.244"（6.20mm）安裝類型:通孔端子類型:PC 引腳間距:0.100"（2.54mm），全可水洗:是特性:- 基體材料:聚苯硫醚（PPS）長度:0.926"（23.52mm）工作溫度:-30°C ~ 85°C 機(jī)械壽命:1，000 次循環(huán) 電氣壽命:1，000 次循環(huán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 STV-5700C-D02 STV6412AD STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216