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STU32864

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STU32864
    STU32864

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  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯(lián)系人:李小姐/肖先生

    電話(huà):0755-8257149682571956

    地址:賽格廣場(chǎng)69樓6900

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6894

  • NXP

  • BGA

  • 21+

  • -
  • ★假一賠十!絕對(duì)原裝現(xiàn)貨市場(chǎng)最低價(jià)!★

  • STU32864
    STU32864

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  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà):0755-88608801多線(xiàn)17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

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  • -
  • 原裝正品,歡迎訂購(gòu)

  • STU32864
    STU32864

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  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà):0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 69200

  • PHILIPS

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  • 18+

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  • 全新原裝,優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • STU32864
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  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà):0755-88608801多線(xiàn)17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36900

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STU32864 技術(shù)參數(shù)
  • STU2NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 900mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):499pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU2N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK(TO-251) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK(TO-251) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU2N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):340pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 750mA, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK(TO-251) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU4N80K5 STU5N52K3 STU5N60M2 STU5N62K3 STU5N65M6 STU5N95K3 STU5N95K5 STU60N3LH5 STU60N55F3 STU65N3LLH5 STU6N60M2 STU6N62K3 STU6N65K3 STU6N65M2 STU6N90K5 STU6N95K5 STU6NF10 STU70N2LH5
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