STP21N05LFI

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

STP21N05LFI
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
ST
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STP21N05LFI
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
TO-220F
25+
-
國產品牌，替代進口

STP21N05LFI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
ST
TO-220F
10+
-
原裝現貨優(yōu)勢庫存

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

STP21N05LFI 技術參數

STP210N75F6 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:171nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP20NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1280pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP20NM60FP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP20NM60FD 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP20NM60A 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 STP23N80K5 STP23NM50N STP23NM60N STP23NM60ND STP240N10F7 STP24DP05BTR STP24N60DM2 STP24N60M2 STP24N65M2 STP24NF10 STP24NM60N STP24NM65N STP25N10F7 STP25N60M2-EP STP25N80K5 STP25NM50N STP25NM60N STP25NM60ND