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STN1NHK60

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  • STN1NHK60
    STN1NHK60

    STN1NHK60

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STN1NHK60-TR
    STN1NHK60-TR

    STN1NHK60-TR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • SOT-223

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • STN1NHK60
    STN1NHK60

    STN1NHK60

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • SOT-223

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • STN1NHK60
    STN1NHK60

    STN1NHK60

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話(huà)：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9000

  • ST

  • 08+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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STN1NHK60 技術(shù)參數(shù)
  • STN1NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN1NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:105pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN1N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:206pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN1HNK60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN0214 功能描述:TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300 mV @ 20mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:3 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1.6W 頻率 - 躍遷:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN3NF06L STN3P6F6 STN3PF06 STN4NF03L STN4NF06L STN4NF20L STN5PF02V STN690A STN715 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888
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