STD1NK80ZT4-LF

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " STD1NK80ZT4-LF " 相關(guān)的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STD20150TR STD2045CTR STD20N20T4 STD20NF06LAG STD20NF06LT4 STD20NF06T4 STD20NF10T4 STD20NF20 STD20P3H6AG

STD1NK80ZT4-LF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STD1NK80ZT4-LF 技術(shù)參數(shù)

STD1NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD1NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD1NK60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD1NK60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:228pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD21W-1 STD21W-2 STD21W-3 STD21W-4 STD21W-5 STD21W-6 STD21W-7 STD21W-8 STD21W-9 STD21W-A STD21W-B STD21W-C STD21W-D STD21W-E STD21W-F STD21W-G STD21W-H STD21W-I