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PMGD370XN T/R

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  • PMGD370XN T/R
    PMGD370XN T/R

    PMGD370XN T/R

  • 深圳市源運電子商行
    深圳市源運電子商行

    聯(lián)系人:林先生

    電話:15913992480

    地址:深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 6000

  • NXP

  • SOT-363

  • 16+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
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PMGD370XN T/R 技術(shù)參數(shù)
  • PMGD290XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):860mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):34pF @ 20V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD290UCEAX 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):725mA,500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):83pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD280UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):870mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):340 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):45pF @ 20V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD175XNEX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):870mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):252 毫歐 @ 900mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):81pF @ 15V 功率 - 最大值:260mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD175XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):900mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):225 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):75pF @ 15V 功率 - 最大值:390mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V PMH-10H-DC12V PMH-10H-DC24V PMH-10M-AC120V PMH-10M-AC240V PMH-10M-AC24V PMH-10M-DC12V PMH-10M-DC24V PMH1206-121 PMH1206-300
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