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NLV32T220JPF

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  • NLV32T220JPF
    NLV32T220JPF

    NLV32T220JPF

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯(lián)系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 25676

  • TDK

  • 原廠

  • 21+

  • -
  • 百分百進口原裝現(xiàn)貨,價格有優(yōu)勢。

  • NLV32T220JPF
    NLV32T220JPF

    NLV32T220JPF

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 1990

  • tdk

  • dc06+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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NLV32T220JPF 技術(shù)參數(shù)
  • NLV32T-220J-EFD 功能描述:22μH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 3.7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±5% 額定電流:110mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):3.7 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:20MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.094"(2.40mm) 標準包裝:1 NLV32T-220J-EF 功能描述:22μH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 3.7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±5% 額定電流:110mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):3.7 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:20MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.094"(2.40mm) 標準包裝:1 NLV32T-1R8J-PF 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):900 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.094"(2.40mm) 標準包裝:1 NLV32T-1R8J-EFD 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):900 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.094"(2.40mm) 標準包裝:1 NLV32T-1R8J-EF 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):900 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.094"(2.40mm) 標準包裝:1 NLV32T-270J-PFD NLV32T-271J-EF NLV32T-271J-EFD NLV32T-271J-PF NLV32T-271J-PFD NLV32T-2R2J-EF NLV32T-2R2J-EFD NLV32T-2R2J-PF NLV32T-2R2J-PFD NLV32T-2R7J-EF NLV32T-2R7J-EFD NLV32T-2R7J-PF NLV32T-2R7J-PFD NLV32T-330J-EF NLV32T-330J-EFD NLV32T-330J-PF NLV32T-330J-PFD NLV32T-331J-EF
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