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NE3514S02-T1C-A

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  • NE3514S02-T1C-A
    NE3514S02-T1C-A

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • CEL

  • 1521+

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  • 全新原裝現貨

  • NE3514S02-T1C-A
    NE3514S02-T1C-A

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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • RENESAS/瑞薩

  • SMT86

  • 21+

  • -

  • 原廠授權，價格超越代理！

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NE3514S02-T1C-A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • TriQuint Semiconductor
  • 技術類型
  • pHEMT
  • 頻率
  • 500 MHz to 3 GHz
  • 增益
  • 10 dB
  • 噪聲系數
  • 正向跨導 gFS（最大值/最小值）
  • 4 S
  • 漏源電壓 VDS
  • 閘/源擊穿電壓
  • - 8 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 3 A
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 功率耗散
  • 10 W
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
NE3514S02-T1C-A 技術參數
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