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NAND02GW3B2DN6F

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  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8323763213302457603

    地址:福田區(qū)振興路華勻大廈221室

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  • Numonyx Memory Solutions

  • IC 256M X 8 FLASH 3V

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NAND02GW3B2DN6F 技術(shù)參數(shù)
  • NAND02GW3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ NAND02GW3B2AN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND02GR3B2DZA6E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ NAND02GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 NAND02GAH0LZC5E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE NAND128W3AABN6E NAND16GW3B6DPA6E NAND16GW3B6DPA6F NAND16GW3B6DPA6F TR NAND16GW3D2BN6E NAND16GW3F2AN6E NAND256R3A2BZA6E
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