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MT47H32M16FN-25

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  • 深圳市英科美電子有限公司
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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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MT47H32M16FN-25 技術(shù)參數(shù)
  • MT47H32M16CC-5E:B TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 5NS 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 MT47H32M16CC-5E:B 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 5NS 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 MT47H32M16CC-5E L:B TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 5NS 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 MT47H32M16CC-5E L:B 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 5NS 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 MT47H32M16CC-5E IT:B TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 5NS 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 MT47H32M16HR-25E L:G TR MT47H32M16HR-25E:G MT47H32M16HR-25E:G TR MT47H32M16HR-3:F MT47H32M16HR-3:G MT47H32M16HR-3:G TR MT47H32M16HW-25E AAT:G TR MT47H32M16HW-25E IT:G MT47H32M16HW-25E:G MT47H32M16NF-187E:H MT47H32M16NF-25E AAT:H MT47H32M16NF-25E AIT:H MT47H32M16NF-25E AUT:H MT47H32M16NF-25E AUT:H TR MT47H32M16NF-25E IT:H MT47H32M16NF-25E IT:H TR MT47H32M16NF-25E:H MT47H32M16U67A3WC1
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