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MCH6628-TL-E
深圳市英科美電子有限公司
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聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
72540
SANYO
MCPH6
22+
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每一片都來自原廠，正品保證

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深圳市澳億芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
54000
SANYO
SOT-363
假一賠十！
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絕對原裝現(xiàn)貨?。?/p>

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
SANYO
MCPH6
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨！

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深圳市時(shí)興宇電子有限公司
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聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會大廈A座19樓19G
9866
SANYO
SOT26/
04+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

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深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
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聯(lián)系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

MCH6628-TL-E
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
54000
SANYO
SOT-363
04+PBF
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房間現(xiàn)貨

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制造商
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述
MOSFET NP CH SC-82

MCH6628-TL-E 技術(shù)參數(shù)

MCH6626-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A，1A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 800mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:105pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH-BUTTON-LP4 MCHC11F1CFNE2 MCHC11F1CFNE2R MCHC11F1CFNE3 MCHC11F1CFNE3R MCHC11F1CFNE4 MCHC11F1CFNE4R MCHC11F1CFNE5 MCHC11F1VFNE3 MCHC11F1VFNE4 MCHC11F1VFNE4R MCHC705B16NCFNE MCHC705B16NVFNE MCHC705JJ7CPE MCHC705JP7CDWE MCHC705KJ1CDWE MCHC705KJ1CPE MCHC711KS2CFNE3