M29W3200B90N6

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

沒找到與 " M29W3200B90N6 " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： M29W320DB70N3E M29W320DB70N3F M29W320DB70N3F TR M29W320DB70N6 M29W320DB70N6E M29W320DB70N6F M29W320DB70N6F TR M29W320DB70ZA3F TR M29W320DB70ZA6

M29W3200B90N6 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

M29W3200B90N6 技術(shù)參數(shù)

M29W256GSL70ZS6F 功能描述:SECURE 256MB 3V 70NS LBP 64LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GSL70ZS6E 功能描述:IC FLASH SEC 128MB 3V LBP 64LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GSH70ZS6F 功能描述:IC FLASH SEC 256MB 3V HBP 64LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GSH70ZS6E 功能描述:IC FLASH SEC 256MB 3V HBP 64LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GL7AZS6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64FBGA M29W320DB70ZE6E M29W320DB70ZE6F M29W320DB70ZE6F TR M29W320DB7AN6E M29W320DB7AN6F TR M29W320DB7AZA6E M29W320DB7AZA6F TR M29W320DB80ZA3E M29W320DB80ZA3F TR M29W320DB90N6 M29W320DT70N3E M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F TR M29W320DT70N6E M29W320DT70N6F M29W320DT70N6F TR M29W320DT70ZE6E M29W320DT70ZE6F