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M28W800BB90N

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  • M28W800BB90N6
    M28W800BB90N6

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

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  • M28W800BB90N
    M28W800BB90N

    M28W800BB90N

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • 原廠品牌

  • 標準封裝

  • 2010

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  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • M28W800BB90N
    M28W800BB90N

    M28W800BB90N

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • 原廠品牌

  • 標準封裝

  • 2010

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  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • M28W800BB90N1
    M28W800BB90N1

    M28W800BB90N1

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 09/10+

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  • M28W800BB90N6
    M28W800BB90N6

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • M28W800BB90N1
    M28W800BB90N1

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  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8323763213302457603

    地址:福田區(qū)振興路華勻大廈221室

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  • Numonyx Memory Solutions

  • IC 512K X 16 FLASH 3

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M28W800BB90N 技術(shù)參數(shù)
  • M28W640HSU70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 M28W640HST70ZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:4MX16 NOR FLASH PLASTIC IND TEMP PBF TBGA TOP 3.0V - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64TFBGA M28W640HST70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 M28W640HSB70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 M28W640HCT70ZB6F 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M29600/20RC12H1 M29600/20RC12J2 M29600/20RJ14J1 M29600/20RJ14J2 M29600/20RM38P1 M29600/20RP45H1 M29600/20RS121H1 M29600/20RS121H3 M29600/20RS121J1 M29600/20RU74H3 M29600/20RU74J2 M29600/22RG09J1 M29600/22RG19S1 M29600/22RG37J1 M29600/22RU41J3 M29DW127G70NF6E M29DW127G70NF6F TR M29DW127G70ZA6E
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