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JANTXV1N438B

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JANTXV1N438B 技術參數(shù)
  • JANTXV1N4372DUR-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4372D-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N4372CUR-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4372C-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N4372AUR-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4461US JANTXV1N4462C JANTXV1N4462D JANTXV1N4462US JANTXV1N4463 JANTXV1N4463C JANTXV1N4463D JANTXV1N4463US JANTXV1N4464C JANTXV1N4464D JANTXV1N4464US JANTXV1N4465 JANTXV1N4465C JANTXV1N4465D JANTXV1N4465US JANTXV1N4466 JANTXV1N4466C JANTXV1N4466CUS
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