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IXGN40N60CD1

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  • IXGN40N60CD1
    IXGN40N60CD1

    IXGN40N60CD1

  • 香港新鵬輝電子有限公司
    香港新鵬輝電子有限公司

    聯(lián)系人：銷售經理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)福華路世界貿易廣場C座1106

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • IXYS

  • 正品封裝

  • 25+

  • -

  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應

  • IXGN40N60CD1
    IXGN40N60CD1

    IXGN40N60CD1

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • IXYS

  • SOT227

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價！

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
IXGN40N60CD1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
IXGN40N60CD1 技術參數(shù)
  • IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信 系列:- 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標準包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGN80N60A2 IXGN80N60A2D1 IXGN82N120B3H1 IXGN82N120C3H1 IXGP10N60A IXGP12N100 IXGP12N100A IXGP12N100AU1 IXGP12N120A2 IXGP12N120A3 IXGP12N60B IXGP12N60C IXGP12N60CD1 IXGP15N100C IXGP15N120B IXGP15N120C IXGP16N60B2 IXGP16N60B2D1
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