IXDD611SI

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IXDD611SI 技術參數(shù)

IXDD609YI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5 RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDD609SITR 功能描述:功率驅動器IC 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD609SIATR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDD609SIA 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD609SI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD630YI IXDE504D2 IXDE504D2T/R IXDE504PI IXDE504SIA IXDE504SIAT/R IXDE509D1 IXDE509D1T/R IXDE509PI IXDE509SIA IXDE509SIAT/R IXDE514D1 IXDE514D1T/R IXDE514PI IXDE514SIA IXDE514SIAT/R IXDF402PI IXDF402SI