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IDT70V27L35PFG

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  • IDT70V27L35PFG
    IDT70V27L35PFG

    IDT70V27L35PFG

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • IDT

  • QFP100

  • 假一賠十!

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  • 絕對原裝現(xiàn)貨??!

  • IDT70V27L35PFG
    IDT70V27L35PFG

    IDT70V27L35PFG

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 1000

  • IDT

  • QFP100

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

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  • 1
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IDT70V27L35PFG 技術(shù)參數(shù)
  • IDT70T633S15DD 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T633S12DDI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T633S12DD 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T633S10DD 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T631S15DD 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71016S12PH IDT71016S12PH8 IDT71016S12PHGI IDT71016S12PHGI8 IDT71016S12PHI IDT71016S12PHI8 IDT71016S12Y IDT71016S12Y8 IDT71016S12YGI IDT71016S12YGI8 IDT71016S12YI IDT71016S12YI8 IDT71016S15PH IDT71016S15PH8 IDT71016S15PHI IDT71016S15PHI8 IDT71016S15Y IDT71016S15Y8
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