IDT70T3599S133DR

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操作

IDT70T3599S133DR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
原廠
標(biāo)準(zhǔn)封裝
13+
-
全新原裝，現(xiàn)貨，價優(yōu)！

IDT70T3599S133DR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IDT, Integrated Device Te
208-BFQFP
12+
-
授權(quán)分銷現(xiàn)貨熱賣

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功能描述
IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
系列
-
格式 - 存儲器
EEPROMs - 串行
存儲器類型
EEPROM
存儲容量
8K (1K x 8)
速度
400kHz
接口
I²C，2 線串口
電源電壓
1.7 V ~ 5.5 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOIC
包裝
帶卷 (TR)

IDT70T3599S133DR 技術(shù)參數(shù)

IDT70T3399S166DD 功能描述:IC SRAM 2MBIT 166MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T3399S133DDI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T3399S133DD 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T3319S166DD 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T3319S133DDI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70V7319S133DD IDT70V7319S133DDI IDT70V7319S166DD IDT70V7319S166DDI IDT70V7339S133DD IDT70V7339S133DDI IDT70V7339S166DD IDT70V7339S166DDI IDT71016S12PH IDT71016S12PH8 IDT71016S12PHGI IDT71016S12PHGI8 IDT71016S12PHI IDT71016S12PHI8 IDT71016S12Y IDT71016S12Y8 IDT71016S12YGI IDT71016S12YGI8