GP1S05

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GP1S05
優(yōu)勢
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865400
GUANGPUYUAN
DIP
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨！

GP1S05VJ000F
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
sharp
22+
-
行業(yè)低價，代理渠道

GP1S05
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6542
SHARP
DIP-4
1408+
-
原裝現(xiàn)貨/特價

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制造商
SHARP
制造商全稱
Sharp Electrionic Components
功能描述
WIDE GAP HIGH SENSING ACCURACY TYPE PHOTOINTERRUPTER

GP1S05 技術參數(shù)

GP1S036HEZ 功能描述:SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期工作角度:- 輸出類型:2 相安裝類型:通孔，直形工作溫度:-25°C ~ 85°C 電壓 - 電源:- 電流 - 輸出:20mA 封裝/外殼:PCB 安裝標準包裝:50 GP1M023A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3391pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP1M020A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3094pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP1M018A020PG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 9A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:1 GP1M018A020HG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 9A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP1S097HCZ0F GP1S173LCS2F GP1S194HCZ0F GP1S196HCPSF GP1S196HCZ0F GP1S196HCZSF GP1S25 GP1S25J0000F GP1S273LCS1F GP1S296HCPSF GP1S36 GP1S36J0000F GP1S39 GP1S396HCP0F GP1S396HCPSF GP1S39J0000F GP1S44S1 GP1S44S1J00F