ES1JTR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

ES1JTR-13
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
94000
Microsemi
DO-214AC
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

ES1JTR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

ES1JTR-13
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
9865000
Microsemi
DO-214AC
最新批號
-
一級代理，特價現(xiàn)貨?。?00%原裝正品！

ES1JTR-13
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯(lián)系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

ES1JTR-13
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100000
Microsemi
DO-214AC
NA
-

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功能描述
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
制造商
smc diode solutions
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
二極管類型
標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
600V
電流 - 平均整流（Io）
1A
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
950mV @ 1A
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
反向恢復時間（trr）
35ns
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
10μA @ 600V
不同?Vr，F(xiàn) 時的電容
45pF @ 4V，1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
DO-214AC，SMA
供應商器件封裝
SMA
工作溫度 - 結(jié)
-55°C ~ 150°C
標準包裝
1

ES1JTR 技術參數(shù)

ES1GTR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:45pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1GRX 功能描述:ES1GR SOD123 SOD2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400nA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:14pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD-123W 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大）標準包裝:1 ES1DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:20pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD-123W 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大）標準包裝:1 ES1DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:45pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:930mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:17pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD123W 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1LGHR3G ES1LJ M2G ES1LJ R3G ES1LJHM2G ES1LJHR3G ES1-LP10 ES1-LP10-N ES1-LP10-N-P ES1-LP3 ES1-LP3-N ES1-LP3-N-P ES1-LW100H ES1-LW100-N ES1-LW100-N-P ES1-LW50 ES1-LW50-N ES1-LW50-N-P ES1ME-TP