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CMF2012H

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CMF2012H3-900-2P-T
    CMF2012H3-900-2P-T

    CMF2012H3-900-2P-T

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 86000

  • EMTEKCOLTD

  • NA

  • 2020+

  • -

  • ★★★真實(shí)庫(kù)存，假一賠十，原廠授權(quán)★★★

  • CMF2012H4-121-2P-T
    CMF2012H4-121-2P-T

    CMF2012H4-121-2P-T

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • EMTEK(臺(tái)灣兆欣)

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
CMF2012H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
CMF2012H 技術(shù)參數(shù)
  • CMF20120R00JNRE 功能描述:RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:120 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:金屬薄膜 特性:阻燃涂層，防潮，安全 溫度系數(shù):±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 175°C 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 大小/尺寸:0.145" 直徑 x 0.375" 長(zhǎng)（3.68mm x 9.53mm） 高度:- 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 CMF20120R00JNR6 功能描述:RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:120 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:金屬薄膜 特性:阻燃涂層，防潮，安全 溫度系數(shù):±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 175°C 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 大小/尺寸:0.145" 直徑 x 0.375" 長(zhǎng)（3.68mm x 9.53mm） 高度:- 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 CMF20120R00JNEA 功能描述:RES 120 OHM 1W 5% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:120 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:金屬薄膜 特性:阻燃涂層，防潮，安全 溫度系數(shù):±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 175°C 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 大小/尺寸:0.145" 直徑 x 0.375" 長(zhǎng)（3.68mm x 9.53mm） 高度:- 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 CMF20120R00GKEK 功能描述:RES 120 OHM 1W 2% AXIAL 制造商:vishay dale 系列:CMF 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:120 容差:±2% 功率（W）:1W 成分:金屬薄膜 特性:阻燃涂層，防潮，安全 溫度系數(shù):±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 175°C 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 大小/尺寸:0.145" 直徑 x 0.375" 長(zhǎng)（3.68mm x 9.53mm） 高度:- 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 CMF20120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:90.8nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1915pF @ 800V 功率 - 最大值:215W 工作溫度:-55°C ~ 135°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 CMF2012R000JNEB CMF2012R000JNR6 CMF2012R000JNRE CMF2013R000GKEA CMF2013R000GKRE CMF20150K00GKEA CMF20150R00GKEA CMF20150R00GKEK CMF20150R00GNRE CMF2015K000GKEA CMF2015K000JNEB CMF2015K000JNR6 CMF2015R000GKEA CMF2015R000GNEA CMF20160K00JKEA CMF2016R000GKEA CMF2016R000GKRE CMF2016R000JNEA
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