BUK7E2R340C127

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BUK7E2R340C127 技術(shù)參數(shù)

BUK7E2R3-40C,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:11323pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:333W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7E1R9-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:118nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:9700pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:324W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7E1R8-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:145nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:11340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7E1R6-30E,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11960pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7E13-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1730pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7E8R3-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7K12-60EX BUK7K134-100EX BUK7K13-60EX BUK7K15-80EX BUK7K17-60EX BUK7K17-80EX BUK7K18-40EX BUK7K23-80EX BUK7K25-40E,115 BUK7K29-100EX BUK7K32-100EX BUK7K35-60EX BUK7K45-100EX BUK7K52-60EX BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R6-30E,115