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BUK7E07-55B,127

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • BUK7E07-55B,127
    BUK7E07-55B,127

    BUK7E07-55B,127

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
BUK7E07-55B,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 119A 3pin(3+Tab)
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK7E07-55B,127 技術(shù)參數(shù)
  • BUK7E04-40A,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):117nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5730pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7D25-40EX 功能描述:BUK7D25-40E SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):460pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):15W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 8A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7C5R4-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C4R5-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C3R8-80EJ 功能描述:MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7E3R1-40E,127 BUK7E3R5-60E,127 BUK7E4R0-80E,127 BUK7E4R3-75C,127 BUK7E4R6-60E,127 BUK7E5R2-100E,127 BUK7E8R3-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7K12-60EX BUK7K134-100EX BUK7K13-60EX BUK7K15-80EX BUK7K17-60EX BUK7K17-80EX BUK7K18-40EX BUK7K23-80EX BUK7K25-40E,115 BUK7K29-100EX
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