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BUK7C2R2-60EJ

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  • BUK7C2R2-60EJ
    BUK7C2R2-60EJ

    BUK7C2R2-60EJ

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話(huà)：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專(zhuān)業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK7C2R2-60E/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
BUK7C2R2-60EJ 技術(shù)參數(shù)
  • BUK7C1R8-60EJ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線(xiàn)+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C1R4-40EJ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線(xiàn)+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C1R2-40EJ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線(xiàn)+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C10-75AITE,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:121nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 25V FET 功能:電流感測(cè) 功率耗散（最大值）:272W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線(xiàn) + 接片），TO-263CB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7C08-55AITE,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:電流感測(cè) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:116nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線(xiàn)+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R8-40E,127 BUK7E1R9-40E,127 BUK7E2R3-40C,127 BUK7E2R3-40E,127 BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R7-30B,127 BUK7E3R1-40E,127 BUK7E3R5-60E,127 BUK7E4R0-80E,127 BUK7E4R3-75C,127 BUK7E4R6-60E,127 BUK7E5R2-100E,127 BUK7E8R3-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7K12-60EX BUK7K134-100EX BUK7K13-60EX
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