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BTS115A SMD

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  • BTS115A SMD
    BTS115A SMD

    BTS115A SMD

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INFINEON

  • TO-220-3

  • 07+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BTS115A SMD
    BTS115A SMD

    BTS115A SMD

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • INFINEON

  • P-TO220-3

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • BTS115A SMD
    BTS115A SMD

    BTS115A SMD

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • P-TO220-3

  • INFINEON

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
BTS115A SMD PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BTS115A SMD 技術參數
  • BTS115A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無絲:有螺紋 公母:公頭，母頭 螺釘，螺紋規(guī)格:#6-32 直徑 - 內部:- 直徑 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形 板間高度:0.500"（12.70mm）1/2" 長度 - 總:0.750"（19.05mm）3/4" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標準包裝:500 BTS113ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:P-TO220AB 標準包裝:500 BTS113AE3064NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:P-TO220AB 標準包裝:500 BTS113AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 BTS110NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:500 BTS120A BTS121AE3045ANTMA1 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A BTS130A BTS133
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