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BSS84TL1

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BSS84TL1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS84TC 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):40pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS84TA 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):40pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 150mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 150mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84PW 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 150mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA
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