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BSS84AKT,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BSS84AKT,115
    BSS84AKT,115

    BSS84AKT,115

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 40300

  • NXP

  • SOT523

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • BSS84AKT,115
    BSS84AKT,115

    BSS84AKT,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BSS84AKT,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH -50 V -150 mA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSS84AKT,115 技術(shù)參數(shù)
  • BSS84AKS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 P-CH 50V 160MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84AKS,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):160mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84AKMB,315 功能描述:MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84AKM,315 功能描述:MOSFET P-CH 50V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):340mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84AK-BR 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.14W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1 BSS84PL6433HTMA1 BSS84PW BSS84PW L6327 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84TA BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7 BSS84W-7-F BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115
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