BSS84 LRC

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BSS84 LRC 技術(shù)參數(shù)

BSS84 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS83PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS83PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:330mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS83PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS83P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2