BSS83,235

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BSS83,235
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
SOT-143B
18+
-
RF Mosfet N-Channel ...

BSS83,235
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

您是不是要找： BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F

BSS83,235 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BSS83,235 PDF下載

功能描述
MOSFET Single N-Channel 10V 50mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSS83,235 技術(shù)參數(shù)

BSS83,215 功能描述:MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:N 通道頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS816NWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:180pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS816NW L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:529pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G